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全SiC功率模塊
規(guī)格型號(hào)
VDSS：1200V
RDS(on)：2mΩ-40mΩ
應(yīng)用領(lǐng)域
新能源汽車、充電樁、光伏、儲(chǔ)能、UPS、變頻器等
產(chǎn)品優(yōu)勢

全碳化硅功率模塊與傳統(tǒng)硅基IGBT相比，全碳化硅模塊具有更高的功率密度、更快的工作頻率，開關(guān)損耗可降低70%以上。

產(chǎn)品定制
接受客制化，如需定制請聯(lián)系我們
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