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自主設計研發的SiC二極管，采用國際最先進的MPS技術，與單純的SBD/JBS結構相比，可大大提升其浪涌電流能力，以及在承受高反向電壓時可大幅降低漏電流的能力。

基于XM3.0自主技術平臺的開發的第三代SiC MOSFET，采用臺階狀精細結構原胞，高保護效率的復合終端結構。更小的芯片尺寸、更低的米勒電容、更高的擾能力、領先的器件性能，真正完全國產化的SiC MOSFET產品。